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专有的高性能无线电力传输(含数据传输)解决方案

来源:Würth Elektronik ? 作者:Würth Elektronik ? 2019-12-09 11:27 ? 次阅读

1.简介

随着无线电力传输在智能手机和充电站等消费电子产品中日益普及,工业和医疗技术制造商也愈加关注这项技术及其优势。这项技术很有吸引力,特别是在工业,以及如建筑机械、易爆环境(ATEX)、农业等工作条件较为恶劣的领域。例如,它可以取代昂贵且易损的集电环,从而降低维护需求,延长产品的生命周期。
在医疗技术领域,非接触式能量转移也有许多优势。医疗设备和系统不仅要适用卫生和消毒的特殊要求,还必须能够耐受强腐蚀性清洁剂和化学品。非接触式能量传输不需要使用特殊连接器,例如密封特别出色的连接器。由于越来越多的数据都通过WiFi、蓝牙等无线方式来进行传输,因此,无线传输所需的能量也变得有意义了。本应用笔记旨在向开发人员展示如何简单有效地设计一套额定功率数百瓦(含数据传输)的独特的非接触式电力传输系统。
图 1:Würth Elektronik 无线充电线圈
无线充电原理
图 2:无线电力传输的原理

2.感应式无线电力传输的工作原理

我?#20405;?#20351;用近场能量传输。这种类型的传输涉及到基于两个线圈之间磁通量的电感耦合。如图2所示,传输路径由四个主要器件组成。在发射侧,有一个发射线圈和振荡器,振荡器用作逆变器;在接收侧,有一个线圈和整流器,整流器的作用是将交流输入转换成直流输出。振荡器将输入的直流电压转换成交流电流,然后在发射线圈 (L1) 中产生交变场。由于两个线圈之间的互感,能量可以在发射线圈 (L1) 和接收线圈 (L2) 之间传输。发射线圈中的交流电流在接收线圈中感应出交流电压(根据法拉第电磁感应定律),经整流后传递至负载。
若发射线圈和接收线圈之间的距离较大,?#30001;?#30913;通量会?#26412;?#22686;加,从而导致能量传输效率降低,这与松耦合变压器的功能相对应。不过,我?#24378;?#20197;通过谐振式耦合来解决这个问题。
谐振式耦合可以增加传输距离,增大传输效率。其是纯电感耦合的扩展,它利用发射线圈和接收线圈,以及彼此的串联电容,共同组成LC串联谐振电路(又称“谐振腔?#20445;?#20174;而实现能量的无线传输。为了达到最佳能量传输效率,必须调整振荡电路的谐振频率。将电容与WPT线圈串联,?#36127;?#21487;以完全补偿极高的?#30001;?#30005;感。两个振荡电?#20998;?#38388;的谐振可以改善所选谐振频率下发射和接收线圈之间的磁耦合。
谐振式感应能量传输原理
图3:谐振感应能量传输的原理
感应谐振能量传输的原理可以非常容易地应用于?#23548;?#20197;下章节介绍了一种专有解决方案。

3.谐振式能量传输的?#23548;?#24212;用

3.1.全桥谐振转换器的设计
图 4 为全桥谐振转换器的框图。电路图可分为以?#24405;?#20010;部分:
? 固定占空比 (50 %) 振荡器和全桥MOSFET驱动器
? 具有4个开关元件(MOSFET)的全桥电路?
? 谐振电容和WPT发射线圈组成的串联谐振电路
? 谐振电容和WPT接收线圈组成的串联谐振电路
? 整流器(桥式整流器或同步整流器)
该电路不是自激振荡电路,开关频率?#28903;?#33633;器确定,并调谐为串联谐振电路的谐振频率。
全桥谐振转换器框图
图4:全桥谐振转换器框图
此概念的优点:
? 可从低功率灵活扩展至超高功率(十瓦至数十千瓦)
? 谐振电路和整流器中的电流为正弦电流,具有良好的EMC特性
? MOSFET在零电压下开关,效率非常高,超过90%
? 可轻松扩展适配多种不同的电压/电流
? 可通过改变开关频率使输出电压高于或低于输入电压
? 可调节输出电压
? 可在接收器和发射器之间传输数据
3.2.全桥谐振转换器的操作
图5a和5b为发射器和接收器之间的能量传递示意图。发射线圈中的电流(谐振电流)是在零点附近振荡的正弦电流。能量在谐振电流ICR/LR的两个半波中传递。
谐振电路中正半波 (ICR/LR) 期间的能量传递原理
图5a:谐振电路中正半波 (ICR/LR) 期间的能量传递原理
图5b:谐振电路中负半波 (ICR/LR) 期间的能量传递原理
图5b:谐振电路中负半波 (ICR/LR) 期间的能量传递原理
图6:波形图漏极信号A-B、C-D和线圈电流
(UIn=20V,UOut=17V,IOut=6A,POut=100W)
图6显示了谐振电路上的信号。信号“节点 CD”和“节点 AB?#31508;?#20840;桥内的电压曲线。在节点AB的高电平阶段,节点CD上的电压?#31995;停?#21453;之亦然。
如前所述,谐振电路中的电流是正弦电流,并且可以看到电压信号和电流信号之间有相移。出现这一相移是因为全桥的开关频率高于串联谐振电路的谐振频率。操作点位于串联谐振电路的感性?#27573;?#20869;,电流将滞后电压。
这对于操作非常重要,因为只有通过这一相移进入感性?#27573;В?#25165;能实现ZVS(零电压开关)操作,这样可?#28304;?#21040;最高效率。如果相移进入容性?#27573;В?#21363;电流超前电压,则转换器不会再在ZVS模式下工作,而是在ZCS(零电流开关)模式下工作。
ZCS操作的损耗较高,因为电流很难换向流入MOSFET的体二极管。在不利情况下,这可能会导致MOSFET损坏。
3.3.开关频率与谐振频率之间的关系
以下仿真左侧为该电路的简化模型。此处仅显示发射器和接收器的谐振电路,就本文内容而言已经足够。
图 7:不同负载条件下的谐振行为仿真
图 7:不同负载条件下的谐振行为仿真
左侧电路为两个串联谐振电路,分别位于发射侧和接收侧。它们代表着图4中的两个谐振电路。每侧各有一个400nF的电容和一个电感为5.8μH的WPT线圈 (760 308 102 142)。两个振荡电路彼此调?#22330;?#20026;进行仿真,我们需要确定发射和接收线圈的耦合系数,该耦合系数取决于两个线圈之间的距离。本例中的距离设置为6mm,因此耦合系数为0.537 (0.54),该值通过测量确定。由发射和接收线圈组成的系统谐振频率约为100kHz。
?#20063;?#27874;特图的X轴为频率,Y轴为放大倍率。放大倍率=1(Vgain-Vin) 时,不同负载条件下的所有曲线都经过同一个点。本例中这个点在155kHz 处,对应电路的开关频率。如上所述,开关频率高于谐振电路的谐振频率,从此处可以看出原因。以下波形图(图8)显示了开关频率和谐振电流。
图8:开关频率和磁化电流
图8:开关频率和磁化电流
(UIn=20V,UOut=17V,IOut=6A,POut=100W)
以上测量显示开关频率约为150kHz,非常接近仿真结果。图8显示了开关节点A-B/C-D(橙色线)的电压曲线,以及流经发射侧串联谐振电路的谐振电流。
从这两条曲线可以看出,每个半波期间,发射器和接收器之间均会发生完整的能量传递。每次开关节点切换时,谐振电流达到磁化电流。系统在此操作点的运行效率最高。在发射侧,MOSFET以大约1V 的漏极/源极电压关断(ZVS 操作),该电压取决于MOSFET?#34892;?#27969;二极管的特性。
图9:接收器到发射器的数据传输
图9:接收器到发射器的数据传输(UIn=20 V,UOut=17V,IOut=6A,POut=100W)
根据MOSFET的数据手册,其典型值介于0.93V和1.2V之间。
在接收侧,整流二极管或同步整流器在ZCS(零电流开关)模式下工作。当谐振电路(接收侧)中的电流达到0A,或者发射侧的谐振电流达到磁化电流时,电流会在整流器中的两个电桥分支之间轻微换向。可以通过改变开关频率来改变输出电压。如果开关频率降低,操作点会靠近谐振频率移动,同时输出电压增加。
如果开关频率增加,操作点会?#29420;?#35856;振频率移动,同时输出电压降低。请参见图8中的谐振曲线。
3.4.发射器和接收器之间的数据传输
这种连接还能通过调制线圈之间的交变场,实现发射器和接收器之间的数据传输。请参见以下波形图(图9)。
数据?#28304;?#34892;方式传输,传输速率约为9.6kBaud。黄色线为来?#36234;?#25910;器的数据流,绿色线为发射器输出端的解调信号。在本例中,数据从WPT接收器传输至WPT发射器。一个?#23548;?#30340;例子是用于压力、温度,或其他类型应用的传感器。如图10 所示,连接到WPT接收器的传感器通过WPT线圈提供能量,而来自传感器的数据通过同一线圈同时传输到WPT发射器。
图10:接收器到发射器的数据传输原理
图10:接收器到发射器的数据传输原理
在接收器(数据源)侧,通过开关将另一个电容连接到现有谐振电容。该开关连接到微控制器的UART输出(参见图10)。AM解调器和UART控制器从发射线圈处的调制信号接收数据。发射侧的数据可以显示在LCD显示器上(图12),也可以通过附加的RF模块发送至任何类型的?#21697;?#21153;。

4总结和测量设置

利用上面介绍的电路拓扑结构,可以实现数十千瓦的超大功率无线能量传输,以及数据传输。硬件开发人员可根据需要修改或扩展电路以适配其应用。由于可以传输数据,因此也可以调节输出电压。
图11:测量设置
除了电路设计之外,发射和接收线圈对实现高效率和极致紧凑的设计也至关重要。Würth Elektronik eiSos可以提供同类设计中品质因子最高的线圈,以及其广泛的产品。因此,可以实现高电感值,从而可以使用小型谐振电容。
此外,对于额定功率较高的产品,只能使用HF绞合线(交流损耗更低)和高质量铁氧体材料(磁导率高)。在?#23548;?#20013;,这意味着最高的效率和最佳的EMC特性。
图12:WPT发射器和WPT接收器
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众所周知,随着越来越多的娱乐应用,手机的力量已经无法使用。为了给用户提供更好的移动体验,规模较大的厂....
发表于 12-24 11:56 ? 1104次 阅读
目前智能手机无线充电的原理是?#35009;? />    </a>
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收藏下载:多个电源模块方案汇总

1、15V、200mA同步降压- 升压型DC/ DC转换器LTC3129的演示电路板 演示电路板采用一个高效率200mA的降压- 升压型DC...
发表于 12-23 16:02 ? 1723次 阅读
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韩国为可穿戴设备开发出超级电容器无线充电技术

韩国国家?#33455;?#22522;金会日前表示,韩国科学家研发出了一种用于智能隐形眼镜的无线充电技术,并有望为可穿戴设备....
发表于 12-23 11:52 ? 252次 阅读
韩国为可穿戴设备开发出超级电容器无线充电技术

NRF21540 RF前端模块经过优化 扩展?#27573;?#21487;达到16倍

NRF21540 RF 前端模块是经过优化以提高 Nordic nRF52 和 nRF53 系列先进....
发表于 12-20 14:09 ? 173次 阅读
NRF21540 RF前端模块经过优化 扩展?#27573;?#21487;达到16倍

?#36824;?#30003;请类似AirPower的无线充电设备专利

据appleworld报道,虽然?#36824;?#20844;司可能已经放弃了AirPower无线充电器项目,不过该公司显然....
的头像 独爱72H 发表于 12-19 17:29 ? 1171次 阅读
?#36824;?#30003;请类似AirPower的无线充电设备专利

怎么用ne564芯片设计电路构?#28903;?#33633;器?

怎么用ne564芯片设计电路构?#28903;?#33633;器,根据振荡频率测试纸张数量...
发表于 12-19 17:28 ? 423次 阅读
怎么用ne564芯片设计电路构?#28903;?#33633;器?

设计电动小车动态无线充电系统的竞赛试题免费下载

设计并制作一个无线充电电动小?#23548;?#26080;线充电系统,电动小车可采用成品车改制,全车重量不小于250 g,外....
发表于 12-19 17:16 ? 131次 阅读
设计电动小车动态无线充电系统的竞赛试题免费下载

基于复平面圆图的RFID振荡器怎样去设计实现

射频识别(RFID)是物联网感知?#26041;?#35782;别物体、采集信息的重要手段[1-2]。
发表于 12-19 15:14 ? 124次 阅读
基于复平面圆图的RFID振荡器怎样去设计实现

手机无线充电到?#36164;?#19981;是鸡肋,求各位大神解惑

手机无线充电的发展前景怎么样?可以做共享吗? ...
发表于 12-14 14:17 ? 328次 阅读
手机无线充电到?#36164;?#19981;是鸡肋,求各位大神解惑

赛普拉斯Cypress PSoC 6 MCU简介及常见4款开发套件工具板

PSoC 6 MCU 简介赛普拉斯PSoC 6产品系列带来?#30340;?#26368;佳的超低功耗性能,为连接装置提供内置安全性,同时不影响性能表现。...
发表于 12-10 14:25 ? 6748次 阅读
赛普拉斯Cypress PSoC 6 MCU简介及常见4款开发套件工具板

需要一个手表晶体振荡电路,功耗越低越好

需要一个手表晶体振荡电路,功耗越低越好。像2N3904那样的晶体管一般不适合做手表晶体振荡器,但现在像2N7002那样的MOS管已...
发表于 12-05 09:30 ? 707次 阅读
需要一个手表晶体振荡电路,功耗越低越好

有没有做过磁耦合谐振式无线充电大创项目的??想问一些东西

有没有做过磁耦合谐振式无线充电大创项目的??想问一些东西...
发表于 11-21 14:24 ? 438次 阅读
有没有做过磁耦合谐振式无线充电大创项目的??想问一些东西

中频振荡器能否将4分频的输出路由?#30103;?#20182;任何引脚?

?#31508;?#29992;外部振荡器或内部振荡器时,在f/4处,CLKOUT?#24378;?#29992;的,并且可配置的,不管是开还是关,是否有办法将除以4的输出路由...
发表于 11-11 10:32 ? 124次 阅读
中频振荡器能否将4分频的输出路由?#30103;?#20182;任何引脚?

DCDC模块电源有?#35009;?#29305;点?

DC-DC是用开关电源的思想实现的。DC-DC有降压和升压两种,在这里只说降压,比如?#30340;?#32473;DC-DC输入10V,DC-DC内部...
发表于 11-11 09:00 ? 338次 阅读
DCDC模块电源有?#35009;?#29305;点?

FXLA2203 双模 双SIM卡电平转换器

03?#24066;?#20004;个主机同时与两个客户身份模块(SIM)或两个用户身份模块(UIM)通信。双模指的是移动电话同时兼容多种数据传输或网络形式(如GSM,CDMA ,WCDMA,TDSCDMA或CDMA2000),其结果是双基带处理器配置。在双通道模式应用中,FXLA2203主机端口直接与基带处理器接口。双向I / O漏极开路通道具有自动导向和内部10KΩ上拉电阻。通过置位以下单一控制引脚,任一主机可切换SIM卡槽:CH_Swap。典型的通道切换时间为130 ns。 FXLA2203不包含内部低压差稳压器(LDO)。相反,FXLA2203架构集成了两个低RON内部功率开关,用于将现有的PMIC(功率管理集成电路)LDO路由至各个SIM卡槽。这可降低整体系统功率,利用现有LDO系统资源,而且符合将LDO集中到PMIC加强功率管理的理念。由于FXLA2203不阻止LDO功能到SIM卡,主机,PMIC和SIM卡之间维持了现有的激活/禁用时序?#35813;鞫取?#35813;器件?#24066;?#30340;电压转?#29615;段?#20026;最高3.6 V,最低1.65 V.每一端口跟踪其各端口的电源。 特性 ?#23376;?#30340;“单引脚”SIM卡切换控制 通道切换时间:130 ns(典型值) 同?#24444;?#27169;双SIM卡通...
发表于 08-02 23:02 ? 103次 阅读
FXLA2203 双模 双SIM卡电平转换器

AX8052F143 超低功耗窄带Sub GHz(27 - 1050 MHz)8052无线微控制器

F143是一款单芯片解决方案,兼容物联网中的众多标准应用。 AX8052F143在868 MHz和1.2 kbps时的灵敏度为-126 dBm,电流消耗仅为9.5 mA,是该领域的杰出器件。低相位噪声和高效率16 dBm发射器是显而易见的特性。数据速率?#27573;?#20026;0.1到125 kbps。频率?#27573;?#20026;27 MHz至1050 MHz,使该RF微控制器成为许多应用的理想器件,包括自动抄表和安全性。平均4.5μA占空比接收电流只是许多优秀参数中的一个。 AX8052F143微控制器内核执行行业标准8052指令集。系统时钟可?#28304;覦C到20 MHz自由编程。由于指令在单个周期内执行,因此内核可以提供20 MIPS。提供64 kByte闪存,?#24066;?#29992;C语?#21592;?#20889;应用程序。全关联缓存和预取控制器可隐藏闪存的延迟。 AX8052F143具有双通道DMA引擎,可?#36234;?#25968;据传输到XRAM或从XRAM传输到芯片上的任何外设。提供具有自己的DMA引擎的专用AES引擎用于?#29992;堋?#20854;他外设包括三个具有可选sigma-delta输出模式的通用定时器。定时器可用作两个UART的波特率发生器。提供主/从SPI接口。具有灵活输入模式的10位,500 kSample / s ADC以及比较器?#24066;?#19982;模拟数据流接口。 特性 优势 27 MHz至1050 MHz的...
发表于 08-01 22:02 ? 94次 阅读
AX8052F143 超低功耗窄带Sub GHz(27  -  1050 MHz)8052无线微控制器

AX8052F100 用于射频应用的超低功耗微控制器

F100是一款超低功耗微控制器。它与RF IC一起针对电池供电应用进行了优化。 AX8052F100具有高集成度,具有吸引人的外设模块,?#21450;?#38754;积小,与RF IC的通信容易,灵活性?#32479;?#20302;功耗。 AX8052F100微控制器内核执行行业标准8052指令集。系统时钟可?#28304;覦C到20 MHz自由编程。由于指令在单个周期内执行,因此内核可以提供20 MIPS。提供64 kByte闪存,?#24066;?#29992;C编程应用程序。完全关联缓存和预取控制器隐藏闪存的延迟。 AX8052F100专门针对超低功耗应用。可以动态选择四个系统时钟源,从而灵活地调整系统速度以适应不同的应用需求。在唤醒定时器运行的情况下,内核消耗150μA/ MHz,AX8052F100在休眠模式下消耗800 nA。 AX8052F100具有双通道DMA引擎,可?#36234;?#25968;据传输到XRAM或从XRAM传输到芯片上的任何外设。提供具有自己的DMA引擎的专用AES引擎用于?#29992;堋?#20854;他外设包括三个具有可选sigma-delta或PWM输出模式的通用定时器。定时器可用作两个UART的波特率发生器。提供主/从SPI接口。具有灵活输入模式的10位,500 kSample / s ADC以及比较器?#24066;?#19982;模拟数据流接口。 AX8052F100具有专用的SPI主接口,可用...
发表于 08-01 22:02 ? 95次 阅读
AX8052F100 用于射频应用的超低功耗微控制器

N24RF16E 双接口RFID 16 Kb EEPROM标签ISO 15693 RF I

6E是一款带有16 Kb EEPROM器件的RFID / NFC标签,提供非接触式和接触式接口。除ISO / IEC 15693射频识别(RFID)接口协议外,该器件还具有I2C接口,可与微控制器通信。 I 2 C触点接口需要外部电源.16 Kb EEPROM阵?#24615;赗F模式下内部组织为512 x 32位,从I 2访?#36866;?#20026;2048 x 8位 C接口。 特性 非接触式数据传输 ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1 Compliant 附近?#27573;?#36890;讯(最多150 cm) 13.56 MHz空中接口通信(HF) 标记:ASK调制为1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s数据速率 来?#21592;?#31614;:负载调制使用曼彻斯特编码,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)数据速率模式的423 kHz和484 kHz子载波。支持快速命令的53 Kbit / s数据速率 Read&写32位块模式 防冲突支持 64位唯一标识符(UID) 每个用户存储器扇区的多个32位密码和锁定功能 支持快速(400 kHz)和Fast-Plus(1 MHz)I 2 C协议 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? 4字节页写缓冲区 I 2 C超时 I 2 C总线输入(SCL和...
发表于 08-01 13:02 ? 18次 阅读
N24RF16E 双接口RFID 16 Kb EEPROM标签ISO 15693 RF I

N24RF04 双接口RFID 4 Kb EEPROM标签ISO 15693 RF和I.

4是一款带有4 Kb EEPROM器件的RFID / NFC标签,提供非接触式和接触式接口。除ISO / IEC 15693射频识别(RFID)接口协议外,该器件还具有I 2 C接口,可与微控制器通信。 I 2 C触点接口需要外部电源.4 Kb EEPROM阵?#24615;赗F模式下内部组织为128 x 32位,从I 2访?#36866;?#20026;512 x 8位 C接口。 特性 非接触式数据传输 ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1 Compliant 附近?#27573;?#36890;讯(最多150 cm) 13.56 MHz空中接口通信(HF) 标记:ASK调制为1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s DataRate 来?#21592;?#31614;:负载调制使用曼彻斯特编码,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)数据速率模式的423 kHz和484 kHz子载波。支持快速命令的53 Kbit / s数据速率 Read&写32位块模式 防冲突支持 64位唯一标识符(UID) 每个用户存储器扇区的多个32位密码和锁定功能 支持快速(400 kHz)和Fast-Plus(1 MHz)I 2 C协议 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? 4字节页写缓冲区 I 2 C超时 I 2 C总线输入(SCL...
发表于 08-01 12:02 ? 34次 阅读
N24RF04 双接口RFID 4 Kb EEPROM标签ISO 15693 RF和I.

N24RF04E 双接口RFID 4 Kb EEPROM标签ISO 15693 RF I

4E是一款带有4 Kb EEPROM器件的RFID / NFC标签,提供非接触式和接触式接口。除ISO / IEC 15693射频识别(RFID)接口协议外,该器件还具有I 2 C接口,可与微控制器通信。 I 2 C触点接口需要外部电源.4 Kb EEPROM阵?#24615;赗F模式下内部组织为128 x 32位,从I 2访?#36866;?#20026;512 x 8位 C接口。 特性 非接触式数据传输 ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1 Compliant 附近?#27573;?#36890;讯(最多150 cm) 13.56 MHz空中接口通信(HF) 标记:ASK调制为1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s数据速率 来?#21592;?#31614;:负载调制使用曼彻斯特编码,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)数据速率模式的423 kHz和484 kHz子载波。支持快速命令的53 Kbit / s数据速率 Read&写32位块模式 防冲突支持 64位唯一标识符(UID) 每个用户存储器扇区的多个32位密码和锁定功能 支持快速(400 kHz)和快速加(1 MHz)I2C协议 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? 4字节页面写入缓冲区 I2C超时 I2C总线输入上的施密特触发器和噪声...
发表于 08-01 12:02 ? 41次 阅读
N24RF04E 双接口RFID 4 Kb EEPROM标签ISO 15693 RF I

LE2432DXA 32 kb我

DXA是双线串行接口EEPROM(电可擦除可编程ROM)。该器件采用高性能CMOS EEPROM技术实现高速和高可靠性。该器件与I2C存储器协议兼容,因此最适合需要可重写非?#36164;?#24615;参数存储器的应用。 特性 优势 容量:32k位(4k x 8位) 低功耗 单电源电压:1.7至3.6 V 高数据传输率 工作温度:-40至+ 85°C 高可靠性 接口:双线串行接口(I 2 C Bus) 工作时钟频率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功耗待机:2μA(ma x)有效(读取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(读取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自动页面写入模式:32字节 读取模式?#26680;?#24207;读取和随机读取 从机地址: 7位格式的从机地址为0x50或0x54,具体取决于引脚B3(TEST)的极性 擦除/写入周期:10 6 周期(Page Write) 数据保留期:20年 应用 终端产品 移动电话相机模块 移动电话 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 12:02 ? 10次 阅读
LE2432DXA 32 kb我

N24RF64 双接口RFID 64 Kb EEPROM标签符合ISO 15693 RF和I2C总线标准

4是一款带有64 Kb EEPROM器件的RFID / NFC标签,提供非接触式和接触式接口。除ISO / IEC 15693射频识别(RFID)接口协议外,该器件还具有I2C接口,可与微控制器通信。 I2C接口接口需要外部电源.64 Kb EEPROM阵?#24515;?#37096;组织为RF模式下的2048 x 32位,以及从I2C接口访?#36866;?#30340;8192 x 8位。 特性 非接触式数据传输 符合ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1标准 近距离通讯(最长150厘米) 13.56 MHz(HF)的空中接口通信 标记:ASK调制,1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s DataRate 来?#21592;?#31614;:负载调制使用曼彻斯特编码,具有423 kHz和484 kHz子载波,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)数据速率模式。支持快速命令的53 Kbit / s数据速率 Read&写32位块模式 防冲突支持 64位唯一标识符(UID) 每个用户存储器扇区的多个32位密码和锁定功能 支持快速(400 kHz)和Fast-Plus(1 MHz)I 2 C协议 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? 4字节页写缓冲区 I2C超时 施密特触发器和噪声I 2 C总线输...
发表于 08-01 12:02 ? 24次 阅读
N24RF64 双接口RFID 64 Kb EEPROM标签符合ISO 15693 RF和I2C总线标准

LE2464DXA 64 kb我

DXA是双线串行接口EEPROM(电可擦除和可编程ROM)。该器件采用高性能CMOS EEPROM技术实现高速和高可靠性。该器件与I2C存储器协议兼容,因此最适合需要可重写非?#36164;?#24615;参数存储器的应用。 特性 优势 容量:64k位(8k x 8位) 低功耗 单电源电压:1.7至3.6 V 高数据传输率 工作温度:-40至+ 85°C 高可靠性 接口:双线串行接口(I 2 C Bus) 工作时钟频率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功耗待机:2μA(ma x)有效(读取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(读取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自动页面写入模式:32字节 读取模式?#26680;?#24207;读取和随机读取 从机地址: 7位格式的从机地址为0x50或0x54,具体取决于引脚B3(TEST)的极性 擦除/写入周期:10 6 周期(Page Write) 数据保留期:20年 应用 终端产品 移动电话相机模块 移动电话 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 12:02 ? 36次 阅读
LE2464DXA 64 kb我

LE2464RDXA 64 kb I

RDXA是双线串行接口EEPROM(电可擦除和可编程ROM)。该器件采用高性能CMOS EEPROM技术实现高速和高可靠性。该器件与I2C存储器协议兼容,因此最适合需要可重写非?#36164;?#24615;参数存储器的应用。 特性 优势 容量:64k位(8k x 8位) 低功耗 单电源电压:1.7 V至3.6 V 高数据传输率 工作温度:-40oC至+85oC 高可靠性 接口:双线串行接口(I 2 C Bus) 工作时钟频率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功?#27169;?#24453;机:2 A(最大):有效(读取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(读取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自动页面写入模式:32字节 读取模式?#26680;?#24207;读取和随机读取 从机地址:7位格式的从机地址为0x54 (S2 = 1,S1 = 0,S0 = 0) 擦除/写周期:10 6 周期(Page Write) 数据保留期:20年 上拉电阻:带有内置上拉电阻的WP引脚上的5kΩ(典型值) 应用 终端产品 移动电话相机模块 移动电话 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 12:02 ? 42次 阅读
LE2464RDXA 64 kb I

LE2432RDXA 32 kb I

RDXA是双线串行接口EEPROM(电可擦除和可编程ROM)。该器件采用高性能CMOS EEPROM技术实现高速和高可靠性。该器件与I2C存储器协议兼容,因此最适合需要可重写非?#36164;?#24615;参数存储器的应用。 特性 优势 容量:32k位(4k x 8位) 低功耗 单电源电压:1.7V至3.6V 高数据传输率 工作温度:-40oC至+85oC 高可靠性 接口:双线串行接口(I 2 C Bus) 工作时钟频率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功?#27169;?#24453;机:2μA (最大值):有效(读取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(读取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自动页面写入模式:32字节 读取模式?#26680;?#24207;读取和随机读取 从机地址:7位格式的从机地址为0x54(S2 = 1,S1 = 0,S0 = 0) 擦除/写入周期:10 6 周期(Page Write) 数据保留期:20年 上拉电阻:带有内置上拉电阻的WP引脚上的5kΩ(典型值) 应用 终端产品 移动电话相机模块 移动电话 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 12:02 ? 46次 阅读
LE2432RDXA 32 kb I

FSA2457 双通道DPDT 5 Ohm模拟数据开关

7是一款双向,低功率,双通?#28010;端?#25527;(4PDT)模拟开关,主要用于双通道1位SIM / SD / MMC卡和/或GPS信号多路复用。该器件针对WLAN-SIM数据切换和52Mbps的控制信号进行了优化.FSA2457符合1位SIM / SD / MMC卡的要求,是与GPS基带处理器进行接口连接的理想选择.FSA2457有12pF的低导通电容(C ON ),?#21592;?#35777;高速的数据传输.FSA2457包含特殊的电路,将电流消耗降低至最低,甚至当应用于SEL引脚上的控制电压低于电源电压(V CC )时也是如此。此特性对超便携式应用(例如手机)尤为重要,可便于与基带处理器的通用I / O进行直接的接口连接。其他应用包括在便携手机,PDA,数码相机,打印机和便携式GPS系统中实现开关和连接器共用功能。 特性 数据路径的低导通电容:12p F(典型值) 数据路径的低导通电阻:5Ω(典型值) 低静态功?#27169;?μA(最大值) 宽-3dB带宽:> 160MHz 封装: 无铅16引脚UMLP(1.8 x 2.6mm) 4kV JEDEC:JESD22-A114 HBM 2kV JEDEC:JESD22-C101 CDM 应用 多媒体平板电脑 存储...
发表于 08-01 10:02 ? 41次 阅读
FSA2457 双通道DPDT 5 Ohm模拟数据开关

FUSB340 USB 3.1 SuperSpeed 10 Gbps开关

0是一个2:1数据开关,用于5 Gbps数据的USB SuperSpeed Gen1和10 Gbps数据的Gen2。其定位于移动设备市场,并用于可逆电缆线需要开关的Type-C应用中。 FUSB340数据开关提供了具有卓越性能的各类高速数据传输协议: USB 3.1 SuperSpeed(Gen 2),10 Gbps PCI Express,Gen 3 SATA 光纤通道 显示端口1.3 特性 10 GHz典型带宽 USB 3.1 SuperSpeed 5Gbps和10 Gbps开关 2.5 GHz的-1.0 dB典型插入损耗 12μA典型值的低有功功率 1μA最大值...
发表于 08-01 05:02 ? 66次 阅读
FUSB340 USB 3.1 SuperSpeed 10 Gbps开关

NL3HS2222 高速USB 2.0 DPDT开关

222是一款DPDT交换机,针?#21592;?#25658;式系统中的高速USB 2.0应用进行了优化。它具有超低的导通电容,CON = 7.5 pF(典型值),带宽高于950 MHz。它针对使用单个USB接口connectorto路由多?#20013;?#21495;类型的应用进行了优化。两个通道的CON和RON都很低,?#24066;鞱L3HS2222将任何速度的USB数据传输信号传递到中等电阻的终端,如外置耳机。 应用 USB 2.0开关 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 21:02 ? 119次 阅读
NL3HS2222 高速USB 2.0 DPDT开关

NL3S588 支持USB 2.0的超低THD DPDT开关

8是一款单电源,双向,双刀/双刀(DPDT)开关,适用于高保真音频和高速数据应用。 NL3S588具有超低失真,高OFF隔离模拟开关,可以传递相对于地的正负模拟信号。它针对消?#29273;?#21644;专业DC耦合GND参考音频切换应用,如计算机声卡和家庭影院产品。 NL3S588还可用于高速差分数据传输应用。两个通道都符合USB 2.0标准。 特性 DPDT SWITCH 3.3 V单电源供电 适用于1.4 mm x 1.8 mm UQFN10 此设备无铅,无?#24444;?无BFR且符合RoHS标准 2 V RMS 信号切换 -116 dB THD + N进入20kΩ负载,2 V RMS -112 dB THD + N进入32Ω负载,0.707 V RMS 信噪比:> 125 dBV ±0.004 dB插入损?#27169;? kHz,20 kΩ负载 ±0.0008 dB增益变化20 Hz至20 kHz 112 dB信号静音到20kΩ负载 131 dB PSRR 20 Hz至20 kHz 输入信号?#27573;В? V至V DD C ON :8.9 pF(Typ) 数据速率:USB 2.0兼容 - 最高480 Mbps 带宽:580 MHz 应用 终端产品 高保真音频切换 USB 2.0高...
发表于 07-31 21:02 ? 72次 阅读
NL3S588 支持USB 2.0的超低THD DPDT开关

BCM7400 用于卫?#29301;琁P和电缆的双AVC / MPEG-2 / VC-1高清数字视频解码器

BCM7400是一款双通道高清卫?#29301;?#26377;线和IP机顶盒DVR解决方案,提供集成的AVC(H.264 / MPEG-4 Part 10), MPEG-2,MPEG-4 Part 2,DivX和VC-1视频解码技术。   BCM7400结合了数据传输处理器,两个高清AVC / MPEG-2 / VC-1视频解码器,两个高级音频解码器,2D和3D图形处理,高质量视频缩放和运动自适应去隔行,七个视频DAC,双立体声高保真音频DAC,双线程350-带有FPU级CPU的MHz MIPS32,以及提供各种机顶盒(STB)控制功能的外围控?#39057;?#20803;。  功能 双高级AVC / MPEG-2 / VC-1解码器,具有H.264 / AVC主要和高配置到4.1级 支持AAC LC,AAC LC + SBR 2级和AAC +级别的双高级音?#33633;?#29702;器2 2D和3D图形绘制引擎,具有高清的工作室级文本和图形解决方案 AES / 1DES / 3DES / CSS / CPRM / DTCP复制保护 应用程序 机顶盒 高清电视 ...
发表于 07-04 10:03 ? 44次 阅读
BCM7400 用于卫?#29301;琁P和电缆的双AVC / MPEG-2 / VC-1高清数字视频解码器

NBXHBA017 晶体振荡器模块,PureEdge?,156.25 MHz LVPECL,3.3 V

信息 NBXDBB017双频晶体振荡器(XO)旨在满足当今3.3 V LVPECL时?#30001;?#25104;应用的要求。该器件采用高Q基波晶体和锁相环(PLL)倍频器,提供可选的156.25 MHz或312.5 MHz,超?#25237;?#21160;和相位噪声LVPECL差分输出。该器件是安森美半导体PureEdge?时钟系列的成员,?#21830;?#20379;精确和精确的时钟解决方案。提供5 mm x 7 mm SMD(CLCC)封装,16 mm胶带和卷轴,数量为1,000。频率稳定性选项可用50 PPM NBXDBA017或20 PPM NBXDBB017。 可选输出频率 - 156.25 MHz(默认)/ 312.5 MHz LVPECL差分输出 用途高Q基本模式晶体和PLL倍频器 超?#25237;?#21160;和相位噪声 - 0.4 ps(12 kHz - 20 MHz) 工作?#27573;?.3 V +/- 10% 总频率稳定性 - +/- 20PPM或+/- 50PPM...
发表于 04-18 21:05 ? 65次 阅读
NBXHBA017 晶体振荡器模块,PureEdge?,156.25 MHz LVPECL,3.3 V

MC100EL1648 压控振荡器 ECL 5.0 V

L1648需要一个由电感(L)和电容(C)组成的外部并联储能电路。变容二极管可以包含在谐振电路中,以为振荡器提供电压可变输入(V CO )。该设备还可以用于需要固定频率时钟的许多其他应用中。 MC100EL1648非常适合需要本地振荡器的应用。系统包括电子测试设备和数字高速通信。 MC100EL1648基于MC1648的V CO 电路拓扑结构。 MC100EL1648采用先进的双极性工艺技术,可实现在扩展频率?#27573;?#20869;工作的设计。 MC100EL1648的ECL输出电路不是传统的开放式发射极输出结构,而是具有片?#29616;?#31471;标称值为510欧姆的电阻器。这有助于将输出信号直接交流耦?#31995;?#20256;输线中。由于这种输出配置,不需要外部下拉电阻来为输出提供直流电流路径。此输出旨在驱动一个ECL负载。如果用户需要扇出信号,则应使用ECL缓冲器,例如MC10EL16线?#26041;?#25910;器/驱动器 注意:MC100EL1648不能用作晶体振荡器。 特性 典型工作频率高达1100 MHz 5.0 Vdc电源时的低功耗19 mA 相位噪声-25 dBc / Hz,25 kHz典型值 ESD保护:> 2 KV HBM,> 100 V MM PECL模式工作?#27573;В篤 CC = 5.0 V,V EE =...
发表于 04-18 20:52 ? 78次 阅读
MC100EL1648 压控振荡器 ECL 5.0 V

74VHC123A 双通道可触发多谐振荡器

A是一款先进的高速CMOS单稳态多谐振荡器,采用硅栅极CMOS技术制造。它实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行,同时保持了CMOS低功耗。每个多谐振荡器都具有负A和正B转换触发输入,两者均可用作禁止输入。另外包含清零输入,处于低电平时可?#27425;?#21333;次采样.VHC123A可以在清零正转换期间触发,此时A保?#20540;?#30005;平,B保持高电平。输出脉冲宽度由以下等式确定:PW =(R x )(C x );其中PW单位为秒,R单位为欧姆,C单位为法拉.R x 和C x 的限值为?#21644;?#37096;电容器,C x 无限制外部电阻,R x V CC = 2.0V,最小值5 kohm V CC > 3.0V,最小值1 kohm输入保护电路确保0到7V可施加到输入引脚,而不管电源电压如何。此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统(例如备用电池)。此电路可防止器件因电和输入电压不匹配而受损。 特性 高速:T A = 25°C时,t PD = 8.1 ns(典型值) 低功?#27169;篢 A = 25°C时,I CC =4μA(最大值) 有效状态:I CC =600μA(最大值),T A = 25°C时 高抗噪能力:V NIH = V NIL = 28%V CC (最小值) 所有...
发表于 04-18 19:47 ? 142次 阅读
74VHC123A 双通道可触发多谐振荡器

NBXSBA017 晶体振荡器模块,PureEdge?,312.5 MHz LVPECL,3.3 V

信息 NBXDBB017双频晶体振荡器(XO)旨在满足当今3.3 V LVPECL时?#30001;?#25104;应用的要求。该器件采用高Q基波晶体和锁相环(PLL)倍频器,提供可选的156.25 MHz或312.5 MHz,超?#25237;?#21160;和相位噪声LVPECL差分输出。该器件是安森美半导体PureEdge?时钟系列的成员,?#21830;?#20379;精确和精确的时钟解决方案。提供5 mm x 7 mm SMD(CLCC)封装,16 mm胶带和卷轴,数量为1,000。频率稳定性选项可用50 PPM NBXDBA017或20 PPM NBXDBB017。 可选输出频率 - 156.25 MHz(默认)/ 312.5 MHz LVPECL差分输出 用途高Q基本模式晶体和PLL倍频器 超?#25237;?#21160;和相位噪声 - 0.4 ps(12 kHz - 20 MHz) 工作?#27573;?.3 V +/- 10% 总频率稳定性 - +/- 20PPM或+/- 50PPM...
发表于 04-18 18:59 ? 73次 阅读
NBXSBA017 晶体振荡器模块,PureEdge?,312.5 MHz LVPECL,3.3 V
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